英飞凌首款全碳化硅模块开始批量生产，并在PCIM上推出CoolSiC™家族新产品

德国慕尼黑和纽伦堡讯-效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低:这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势.英飞凌科技股份公司开始批量生产轻松1B-英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。

在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力.

英飞凌工业功率控制事业部总裁PeterWawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它已可用于不同应用.不过，为了让这一新的半导体技术成为可以依靠的革命性技术，需要英飞凌这样的合作伙伴.针对应用量身定制产品、我们的生产能力、对技术组合和系统的全面了解:这四大优势使我们成为功率半导体市场的领导者.依托英飞凌碳化硅产品组合，我们希望并且能够达成这一目标.“

全新1200 V碳化硅MOSFET已进行优化，同时具备高可靠性与性能优势。其动态功率损耗要比1200 V硅(Si)IGBT低一个数量级.首批产品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电系统等应用.不久的将来推出的新型号，也将为打造适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅助电源的革命性解决方案创造条件.

1200 V SiC MOSEFT采用的沟槽栅技术的一大优势在于持久的坚固耐用性。这是由于其具备较低的工作时间失效(Fit)率和有效的短路能力，可适应不同的应用.得益于4 V的阈值电压(V)_TH)和+15V的推荐接通阈值(V_一般事务)，这些晶体管能像IGBT一样得到控制，在发生故障时得以安全关闭.碳化硅MOSFET可以实现高速开关，另外，英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度，因此，可以轻松优化EMC性能。

早在去年，英飞凌就已推出主导产品Easy 1B(半桥/Booster)以及分立器件to-247-3 pin和to-247-4 pin产品.简易1B平台十分成熟，是实现快速开关器件的理想模块平台。在今年的PCIM展会上，英飞凌将展出基于1200 V SiC MOSFET技术的其他模块平台和拓扑。它们将逐步扩大CoolSiCMOSFET的性能范围。英飞凌展出的碳化硅模块包括：

• 采用B6(六包)拓扑的Easy 1B：该模块的特点是成熟的英飞凌模块配置，导通电阻(R)_DS(ON) )仅45 mΩ.集成的体二极管确保低损耗续流功能.该Easy 1B适用于传动、太阳能或焊接技术领域的应用.
• 采用半桥拓扑的Easy 2B：这个较大的Easy器件，其性能增强，每个开关的R_DS(ON) 为8mΩ.低电感模块概念是功率超过50 kW和快速开关应用的理想选择，比如太阳能逆变器、快速充电系统或不间断电源解决方案等。
• 采用半桥拓扑的62毫米：附加的半桥配置，具备更大功率，每个开关功能的R_DS(ON) 为6 mΩ.该模块平台为中等功率范围系统实现低电感连接创造了条件.这一特性适合诸多应用，包括医疗设备或铁路设备的辅助电源等.由于有大量潜在应用，英飞凌预计该模块将迅速普及.