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采用to-247 PLUS封装的高功率密度单管IGBT

Auth:Curtian Date:2018/10/24 Source:英飞凌 Visit:1124 Related Key Words: 英飞凌

德国慕尼黑讯-英飞凌科技股份公司进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出最高电流达75 A的新产品系列.至-247 plus封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新to-247 PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求.需要高功率密度1200 VIGBT的典型应用包括变频器 、 光伏逆变器 和 不间断电源..其他应用包括电池充电和储能系统.

 

相比常规to-247-3封装而言,全新to-247 PLUS封装可实现双倍额定电流.由于去除了标准to-247封装的安装孔,加上封装拥有较大的引线框面积,因此可以容纳更大的IGBT芯片。管脚尺寸保持不变的75 A 1200 V IGBT现已开始供货。更大的引线框可使to-247 plus封装具备较低热阻,从而提高散热能力.

 

对于想要降低开关损耗的设计师而言,to-247 PLUS 4脚封装具有额外的开尔文发射极引脚,可降低栅极-发射极控制回路的电感,并将总开关损耗E(Ts)降低20%以上.采用to-247 PLUS 3脚和4脚封装的1200 V IGBT可增大系统功率密度。此外,它们可以减少并联功率器件数量,提高系统效率或改进系统散热.

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