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面向单管IGBT的TRENCHSTOP™高级隔离封装

Auth:Curtian Date:2018/10/24 Source:英飞凌 Visit:968 Related Key Words: 英飞凌

德国慕尼黑讯-英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP™高级隔离。™高级隔离可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP高速3 IGBT,确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化,可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔.该新封装适用于诸多应用,如空调功率因数校正(Pfc)、不间断电源和 变频器等.

 

常见的绝缘选择,像FullPAK或采用绝缘材料的标准to封装,其价格昂贵,较难加工.此外,它们不足以满足最新推出的大功率密度IGBT的散热需求.TRENCHSTOP™高级隔离具有与标准到-247封装同样的尺寸,但100%绝缘。不过,无需使用绝缘箔或导热硅脂.得益于从IGBT晶圆到散热器有效可靠的散热路径,该全新封装具备更大功率密度.它提高了可靠性,并降低了系统和制造成本.

 

由于不再需要使用绝缘材料和导热硅脂,设计人员可以将装配时间缩短达占35%。与此同时,其通过消除错位箔片提高了可靠性.该全新封装的热阻(R)TH比为-247 FullPak低50%,比采用绝缘箔的标准为-247低35%。这些改进都转变成性能提升,相比采用FullPak封装,工作温度降低10°C.相比采用绝缘箔的标准to-247,使用TRENCHSTOP™高级隔离封装可将系统效率提高0.2个百分点。

 

另外,该封装具有仅38 PF的低耦合电容,这意味着抗电磁干扰(EMI)性能更佳,并有可能使用较小的滤波器.改进散热特性还有助于提高可靠性,其原因在于IGBT可在较低温度下工作,这可减轻对元器件的压力.工作温度降低还可减小散热器件的尺寸,这有助于节省系统成本.另外,由于散热要求有所降低,设计人员也可以选择更高的设计裕度,实现更高功率密度.

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