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超软IGBT续流二极管具备行业领先的低损耗特性

Auth:Curtian Date:2018/10/23 Source:英飞凌 Visit:826 Related Key Words: 英飞凌

德国慕尼黑讯-英飞凌科技双极公司kg,推出专为现代,IGBT,应用而设计的新型二极管系列:英飞凌,素数软。该二极管具备改进的关断能力,关断速度可达5 kA/s。素数软以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的高压直流/事实和中压驱动设备,这些应用的特点是对功率损耗的要求很高.


采用新型素软二极管的客户将受益于行业领先的低导通损耗.这是通过单硅芯片设计实现的,与多芯片二极管相比,其有效硅芯片面积增加了25%以上。这种新型设计将最高结温达140°C下开关功率提高到6-10 mW.与硅和钼载体之间没有牢固金属镕接的自由浮动压接封装相比,这种新型熔接器件的热阻降低了大约20%。


除了高可靠性和良好的热性能外,英飞凌素软二极管具备最小的开关损耗.它的软反向恢复性能在所有相关工况下均无不当振荡.除了电气参数之外,新的机械概念通过串联叠压组件式IGBT和续流二极管来简化堆叠压组件结构.这种叠压组件设计使组装所需的时间缩短了大约50%。


供货
压装式超软IGBT续流二极管具备4.5kV阻断电压。该二极管有三种不同的封装直径:D1600U45X122、D 2700U45X122和D4600U45X172。

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