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英飞凌将在亚洲2018年展示面向整个电能供应链的前沿技术和解决方案

Auth:Curtian Date:2018/10/22 Source:英飞凌 Visit:256 Related Key Words: 英飞凌
中国上海讯--英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26-28日参加在上海世博展览馆举办的PCIM亚洲上海国际电力元件、可再生能源管理展览会.英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案.此外,英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文,并在同期的国际研讨会上进行交流.
 
从前沿的硅基MOSFET和IGBT到数字化功率创新,以及最新的碳化硅和氮化镓技术,英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用。此次,英飞凌将围绕“赋能世界,无尽能源”(授权无限能源世界)为主题,重点展示以下产品:
 
·1200 V TRENCHSTOP™IGBT 7 
1200 V TRENCHSTOP™IGBT 7基于最新微沟槽技术,可大幅降低损耗,并提供高度可控性.该芯片专门针对工业驱动器应用进行优化,可大幅降低静态损耗,提高功率密度,与EmCon7 1200 V二极管技术构成IGBT开关,开关更为柔和.另外,通过将功率模块中允许过载的最高工作温度提高至175℃,可显著提高功率密度.
 
·CoolSiC™MOSFET-一场值得信赖的技术革命 
CoolSiC™MOSFET 1200 V是将系统设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。采用沟槽栅技术的碳化硅MOSFET技术,英飞凌分别在62 mm和EASY2B封装中实现了3毫欧姆和6毫欧姆的半桥模块,代表业内的领先水平。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性,CoolSiC™MOSFET是光伏逆变器、UPS、电动汽车充电和工业驱动应用的最佳解决方案。
面向中国的光伏客户和应用,英飞凌开发了定制化产品,如三电平模块提高了组串型逆变器的单机的功率极限,碳化硅MOSFET在模块中的应用,大大提高了效率和功率密度
 
·MIPAQ™Pro-一个真正意义上的智能IGBT模块 
MIPAQ™Pro是一款集成IGBT、驱动、散热器、传感器、数字控制以及通讯总线的大功率智能功率模块(IPM)。通过对诸如芯片工作结温、输出电流、直流电压等关键参数的实时监控,进行故障预警和保护,从而实现了强大的智能保护功能.在减少设计冗余,实现功率输出最大化的同时,确保IPM可以在设定的极限范围内安全稳定工作,在设备出现故障隐患时,及时发现并有效预防大大提高了设备的现场有效运行时间.
 
·TRENCHSTOP™特性IGBT-带多重保护和集成多种应用电路功能的IGBT 
为了提高IGBT使用的可靠性,越来的用户更倾向于IGBT本身自带多重保护或者集成多种应用电路功能,如过压保护、过流保护、过温保护、有源钳位、故障报警等.因此,英飞凌即将推出全新的多功能IGBT-TRENCHSTOP™特性IGBT。该系列IGBT包含多种组合,即根据不同应用的设计需求,集成不同保护或者其它功能,为用户提供一种设计简单但安全可靠的方案.

·英飞凌®生态区块压接式模块 
英飞凌在2017年完善了全系列高性价比焊接式20毫米、34毫米和50毫米双极器件模块后,2018年年即将推出高性价比压接式生态区块系列,用于扩展现有的经典PowerBlock压接技术产品线。该模块的典型应用包括不间断电源和变频器市场,包括60 mm晶闸管/晶闸管TT、晶闸管/二极管TD和二极管/二极管DD模块,以及70 mm晶闸管模块。其阻断电压为1600/2200 V,电流范围是420 A到1200 A。新系列产品保留了PowerBlock模块的重要特性功能,拥有压接技术特有的短路导通特性、并同时拥有高性价比.系出名门,秉承了英飞凌一贯的“可持续、环境友好”设计.
 
·IGBT系统解决方案和应用解决方案 
IGBT应用解决方案包括IGBT和碳化硅器件驱动方案和各种设计评估板.IGBT系统解决方案包括逆变焊机、电动汽车充电、兆瓦级1500 V光伏逆变器和主要应用于电力机车和高速列车的牵引和辅助变流器,柔性高压直流输电等XHP™3并联方案.
 
·最新一代1200 V IGBT 6单管IGBT 
1200 V IGBT 6单管比上一代1200 V单管IGBT,进一步降低了导通压降和开关损耗,首批推出5个型号有两种芯片技术S6和H6,两种封装形式,TO247+和to 247_Plus 4 Pin。可以说这一代IGBT 6的推出,不仅是在上一代1200 V单管IGBT的基础上芯片技术的升级,还扩展了电流输出能力,对于系统设计,可以减少并联个数,大大提升系统可靠性.可以广泛应用于光伏,UPS,焊机,变频器等领域。
 
·TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封装中的产品 
TRENCHSTOPTM5是英飞凌最新一代650 V IGBT芯片系列,在市场上广受欢迎,以前单管只有to-247封装,英飞凌于近日推出了TRENCHSTOP 5芯片封装在D2PAK的贴片型封装中的系列产品。相比于to-247封装,D2PAK封装由于管脚短,杂散电感小了很多,可以以更低开关损耗工作于更高的开关频率.同时,D2PAK封装的结对壳的热阻并没有升高,又可以直接在IMS上进行贴片焊接,整个散热效果要比传统的到-247封装散热效果要更好。这样一来同样大小的芯片,D2PAK封装能比to-247封装输出更大的电流,对提升系统效率和功率密度,有很大的帮助。
 
·DDPAK,创新正面散热SMD封装满足大功率SMPs市场需求 
得益于集成式4引脚开尔文源配置,可降低寄生源电感,减轻振荡倾向.采用正面散热,SMD,封装的,CoolMOS,™和,CoolSiC,™可在电路板与,MOSFET,之间实现更大温差及延长系统使用寿命。
 
亚洲是PCIM欧洲在亚洲地区的姐妹展,迄今已成功举办过16届,专注于电力电子技术,以及该领域技术在国家电网、工业、轨道交通、智能运动及电动车等方面的应用。

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