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NXP为5G网络推出新型大功率射频产品

Auth:Curtian Date:2018/10/6 Source:NXP Visit:444 Related Key Words: NXP
公司扩大了galliumnitride(Gn)和ldmos的技术组合,以提供全方位的高功率产品。

费城,(2018年6月12日)(环球通讯社)IMS 2018)-半导体。(纳斯达克市场代码:nxpi)正在推动创新,其扩大的GaN和硅横向扩散金属氧化物半导体(Si-LDMOS)产品的蜂窝基础设施组合,在紧凑的覆盖范围内提供业界领先的业绩,以支持下一代5G蜂窝网络。

Gallium Nitride Chip Trio
  nxp半导体公司正在推动创新,扩大了GaN和硅横向扩散金属氧化物半导体(Si-LDMOS)产品的蜂窝基础设施组合,在紧凑的覆盖范围内为业界提供领先的性能,以支持下一代5G蜂窝网络。


NXP Semiconductors Powers 5G Communications
  NXP半导体驱动5G通信


NXP Semiconductors Powers 5G Infrastructure
  NXP半导体驱动5G基础设施


频谱扩展、高阶调制、载波聚集、全维波束形成以及其它5G连通性的增强手段将需要扩展技术基础来支持增强的移动宽带连接。随着频谱的使用和网络的足迹,从四个发射(4TX)天线到64 TX或更高的多输入多输出(MIMO)技术将被采用。5G网络的未来将依赖于GaN和Si-LDMOS技术,NXP是其射频功率放大器发展的前沿。

“在ldmos领导25年的成功基础上-nxp于1992年发布了世界上第一款LDMOS产品-今天,我们正在以业界的领先地位扩展我们的射频领导地位。GaN技术,在蜂窝应用程序中具有最高的线性效率,“nxp高级副总裁兼总经理保罗哈特(Paul Hart)说。射频功率做生意。凭借最好的供应链、全球应用程序支持和业内无与伦比的设计专长,NXP将成为5G解决方案的领先RF合作伙伴。“

在ims 2018上,nxp正在推出新的rfgan宽带功率晶体管,并扩展其航空第三代宏和室外小电池溶液。新的服务包括:

  • A3G22H400-04S:这种GaN产品非常适合40W基站,效率高达56.5%,增益为15.4dB,覆盖1800 MHz至2200 MHz的蜂窝频段。
  • A3G35H100-04S : 提供43.8%的效率和14分贝的增益,这一GaN产品使16 TXMIMO解决方案在3.5GHz。
  • A3T18H400W23S:这种硅LDMOS产品在1.8GHz时领先于5G,Doherty效率高达53.4%,增益达17.1dB。
  • A3T21H456W23S : 该解决方案涵盖2.11GHz至2.2GHz的整个90 MHz频段,体现了NXP在效率、射频功率和信号带宽方面的最佳类硅LDMOS性能。
  • A3I20D040WN:在NXP的集成超宽带LDMOS产品系列中,该解决方案提供峰值功率46.5dBm,365 MHz宽带AB级增益32 dB,在10 dB OBO下效率为18%。
  • A2I09VD030N该方案的峰值功率为46 dBm,AB级增益为34.5 dB,在10 dB OBO下效率为20%。该产品的射频带宽为575~960 MHz。

公司的宽度射频功率包括GaN、Si-LDMOS、SiGe和GaAs在内的技术为5G提供了不同集成度的频率和功率谱的产品选择。这种广泛的选择,结合nxp为数字计算和基带处理构建的产品,使nxp成为端到端5G解决方案的独特供应商。

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